[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-5] Estimation of chemical characteristics of Al₂O₃ on AlGaN using electron spin resonance

〇Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:GaN, ALD, ESR

本研究では、材料のダングリングボンド等の欠陥を反映する不対電子を測定することが出来る電子スピン共鳴(ESR)を用い、Al₂O₃/AlGaN界面近傍の化学状態評価を行う事とした。Si上AlGaN/GaN HEMT構造上にAl₂O₃膜をALDにより成膜し、Al₂O₃膜の膜厚や成膜後熱処理(PDA)温度と不対電子数密度との関係を評価したのでその結果を報告する。