[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-5] 電子スピン共鳴によるAlGaN上Al₂O₃の化学状態評価

〇久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、ALD、ESR

本研究では、材料のダングリングボンド等の欠陥を反映する不対電子を測定することが出来る電子スピン共鳴(ESR)を用い、Al₂O₃/AlGaN界面近傍の化学状態評価を行う事とした。Si上AlGaN/GaN HEMT構造上にAl₂O₃膜をALDにより成膜し、Al₂O₃膜の膜厚や成膜後熱処理(PDA)温度と不対電子数密度との関係を評価したのでその結果を報告する。