[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [6p-PA8-6] m面GaN層に形成したMOS構造の界面特性評価

〇問谷 翔太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：窒化ガリウム、GaN