[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [6p-PA8-9] ALD成膜条件がAl₂O₃/GaN MOS特性へ与える影響

〇曽根原 翔¹、上沼 睦典¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：パワーデバイス、原子層堆積法、窒化ガリウム