The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[6p-PA9-1~26] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 6, 2017 4:00 PM - 6:00 PM PA9 (P)

4:00 PM - 6:00 PM

[6p-PA9-20] Bulk crystal growth and electronic band structure of Cu2ZnSnS4 semiconductor

〇(M2)Takahiro Nagashima1, Ozaki Shunji1 (1.Gunma Univ.)

Keywords:Cu2ZnSnS4, CZTS

Cu2ZnSnS4(CZTS)半導体は、太陽電池光吸収層の材料として近年特に注目されている。CZTS太陽電池の更なるエネルギー変換効率の向上には、基礎物性を明らかにする事が重要である。本研究では、CZTSバルク結晶を育成し、光吸収測定、分光エリプソメトリー(SE)測定を行い、電子エネルギーバンド構造を調べたので報告する。