[6p-PA9-1~26] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[6p-PA9-21] Crystal growth and optical properties of ZnIn₂S₄ semiconductor

〇(M2)Akira Saitou¹, Ozaki Shunji¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:ZnIn2S4

II-III-VI族化合物半導体は、化合物半導体薄膜太陽電池において光電変換層を構成するバッファ層として注目されている。しかし、研究報告例は少なく、基礎電子物性は不明である。本研究ではZnIn₂S₄結晶を育成し、光学特性の評価を行った。