[6p-S41-1~10] 7.5 イオンビーム一般

[6p-S41-2] 高エネルギーイオン入射によるSiでの生成電荷分布計測

〇谷 健一^1,2、阿保 智^1,2、若家 冨士男¹、小野田 忍²、山下 隼人^1,3、宮戸 祐治¹、阿部 真之¹ (1.阪大基礎工、2.量研機構、3.JST さきがけ)

キーワード：電荷分布、高エネルギーイオン