[6p-S41-1~10] 7.5 イオンビーム一般

[6p-S41-7] GCIB照射による低温Cu-Cu接合の検討

〇(M1)池田 翔太¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：表面活性化接合、ガスクラスターイオンビーム

我々のグループでは数eV/atom程度の超低エネルギー照射が可能なガスクラスターイオンビーム(Gas Cluster Ion Beam :GCIB)を用い、表面活性化接合の実現を目指している。これまで、ＧＣＩＢを用いることにより、表面平坦性の向上や表面酸化膜の除去により、各種基板の接合を報告してきた。本研究では、従来よりも平坦性に優れたスパッタCu薄膜に対してAr-GCIBを各種条件で照射し、接合温度の低温化を検討した。