2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:00 A201 (201)

児島 一聡(産総研)

09:00 〜 09:15

[7a-A201-1] ClF3ガスによるSiCエピリアクタークリーニングのためのサセプタ被膜耐腐食性調査

塩田 耕平1、〇川崎 稜平1、羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 真一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード:炭化珪素、三フッ化塩素、クリーニング

炭化珪素エピタキシャル膜の表面欠陥発生を抑制するために、三フッ化塩素ガスを用いたSiCエピリアクターのクリーニング方法が提案されている。クリーニングの際にサセプタを保護する被膜材料として熱分解炭素を用いて耐腐食性を調査したところ、480℃以下の温度においてフッ化されるものの、表面形態は損なわれないことが確認[4]された。本研究では熱分解炭素膜内部のフッ化について、詳細を報告する。