[7a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[7a-A201-8] Evaluation of Wavelength Dependence of THz Emission from SiC Photodiode Using a Laser Terahertz Emission Microscope

〇Tatsuhiko Nishimura¹, Hidetoshi Nakanishi¹, Fujikazu Kitamura¹, Minoru Mizubata¹, Iwao Kawayama², Masayoshi Tonouchi² (1.SCREEN, 2.ILE Osaka Univ.)

Keywords:SiC, Silicon Carbide, Terahertz Wave, Photodiode, PD

今回、LTEM技術における励起光波長を変化させて、SiCフォトダイオードの分析を行った。励起波長280 nmと400 nmの場合でLTEMイメージが異なる結果が得られた。波長400 nmでは電極付近の測定点でTHz波形の反転が見られ、電流の向きが異なることが示唆される。励起波長を変化させて計測することにより、LTEMがフォトダイオードの感度が異なる領域でのキャリアの振る舞いの分析に適用できる可能性を示した。