[7a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[7a-A301-11] GaN deposition by reactive sputtering with N^* radical source

〇Masanori Shirai¹, Takuji Yamamoto¹, Satoru Takasawa¹, Satoru Ishibashi¹ (1.ULVAC,Inc.)

Keywords:GaN

スパッタリング法によるGaN薄膜形成について検討を行っている。今回、化合物系のスパッタで広く用いられるリアクティブスパッタ法において、通常の反応性ガスとしてN₂を用いる方式(従来法)と成膜中にN*を照射する(ラジカル法)の2方式を検討し、各成長モデルについての考察を行った。