[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-7] チャネル層にInAlNを用いた薄膜トランジスタの作製

〇中村 享平¹、小林 篤¹、上野 耕平¹、太田 実雄^1,2、徳本 有紀¹、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：薄膜トランジスタ、窒化物