[7a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[7a-A301-8] X-ray CTR scattering measurements of Ga-bilayer/GaN surface

〇Takuo Sasaki¹, Masamitu Takahasi¹ (1.QST)

Keywords:CTR, synchrotron X-ray, GaN

GaNのMBE成長では、GaN表面に液体状のGa原子層（Ga-bilayer）の存在が重要であることが定説となっている。ただし、表面面内方向における原子配置に関しては、Ga原子がランダムに存在しているのか、それとも液体にも関わらず周期的な構造をしているかは明らかになっていない。本研究は、三次元結晶からのブラッグ反射に比べて散乱強度は著しく小さいものの、表面構造の違いに敏感なCrystal Truncation Rod（CTR）散乱測定を、GaN表面に適用し、Ga-bilayerの表面構造を検討した。