[7a-A412-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

△ [7a-A412-2] 熱フィラメントCVD法で合成した低抵抗ダイヤモンド自立基板評価

〇大曲 新矢¹、山田 英明¹、梅沢 仁¹、坪内 信輝¹、茶谷原 昭義¹、杢野 由明¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、ホウ素、フィラメント

近年，高効率エネルギー利用の観点からパワエレ機器の省エネ化が進められている．ダイヤモンドはワイドギャップ半導体の中でも極限的な物性値を複数有していることから，次々世代のパワー半導体材料として期待されている．高出力動作が可能な縦型パワーデバイスでは，低抵抗ウェハが必要であるが，成長技術が未熟であり実用化に向けて多くの課題が残されている．我々は，大面積長時間成長に優位性のある熱フィラメントCVD法による低抵抗ウェハ開発に取り組んでいる．これまでに数ミクロン厚のホモエピ成長において，B濃度10²¹ cm^-3を超える高濃度ドープが可能であり，1 mOhmcmオーダーの低抵抗化が実現できることを明らかとした．今回はフィラメント高密度化により成長速度を上昇させ，厚膜自立結晶の作製に成功したので報告する．