[7a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[7a-A414-3] SドープInPバルクのスピン緩和

〇滝沢 将也¹、田中 大介¹、飯田 真之¹、谷川 詩馬¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工)

キーワード：スピン緩和、ポンププローブ法、SドープInP

本研究では、時間分解ポンププローブ反射計測により、SドープInPバルクのキャリア緩和及びスピン緩和を観測し、以前報告したノンドープInPバルクの結果と比較した。10 KでのSドープInPバルクのキャリア緩和時間は7.10 psと137 psであり、スピン緩和時間は18.7 psであった。不純物が関与するスピン緩和機構であるElliot-Yafet効果が働いていると考えられる。