[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-4] III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器の多値変調動作

〇開 達郎^1,2、相原 卓磨¹、長谷部 浩一¹、武田 浩司^1,2、藤井 拓郎^1,2、土澤 泰^1,2、硴塚 孝明^1,2、福田 浩^1,2、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：マッハツェンダ変調器

従来のSi変調器のV_πL限界を突破するInGaAsP/Si MOSキャパシタ変調器を設計、作製し、従来比約1/4のＶπL(0.09 Vcm)を達成。本素子を用いて10 Gbit/s、4値pulse amplitude modulation (PAM4) 動作に成功。