[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 & 3.15 Code-sharing session

[7a-A504-7] Low threshold current structure of GaInAsP laser on wafer bonded InP/Si substrate

〇Hirokazu Sugiyama¹, Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, Han Xu¹, Kazuki Uchida¹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser diode, InP/Si, Direct bonding

光配線は，電気配線を光配線に置き換えることで，LSIの消費電力や高速大容量通信などの問題を克服する技術です．我々はシリコン基板上への光デバイスの集積方法として，薄膜InP層とSi基板を直接接合して作製したInP / Si基板上に結晶成長する方法を提案している．この方法を用いて，InP / Si基板上にボイドのない2インチInP / Si基板，1.2μm波長の半導体レーザを得た．本研究では，InP / Si基板上に1.5μm帯のGaInAsP-InPダブルヘテロレーザ構造をエピタキシャル成長させ，レーザ構造を最適化することにより，低閾値電流レーザを実現した．