[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-6] ハイブリッドシリコンDFB量子ドットレーザの作製と評価

〇張 奉鎔^1,2、土澤 泰³、西 英隆³、中村 隆宏⁴、權 晋寛²、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子、3.NTT先端集積デバイス研、4.PETRA)

キーワード：量子ドットレーザ、シリコンフォトニクス

シリコン導波路と結合したハイブリッドシリコン量子ドットレーザは、低消費電力・高密度集積が求められる将来の光集積回路の光源として有望なデバイスである。これまでに、直接ウェハ融着法を用いて、シリコン導波路に結合したファブリ-ペロー型量子ドットレーザを作製し、100^oC以上での動作に成功している。これらのレーザではマルチモード発振であったが、波長多重伝送など光集積回路の更なる高機能化には、単一モード発振を示すハイブリッドシリコン量子ドットレーザが重要である。今回、シリコン導波路上のλ/4位相シフト回折格子を用いたDFB量子ドットレーザを作製し、シングルモード発振に成功したので報告する。