2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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[7a-C11-1~12] 17.1 カーボンナノチューブ,他のナノカーボン材料

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1)

片浦 弘道(産総研)、山本 貴博(東理大)

09:15 〜 09:30

[7a-C11-2] XANESによる単層カーボンナノチューブ生成時における遷移金属触媒のその場測定

熊倉 誠1、桐林 星光1、才田 隆広1、成塚 重弥1、丸山 隆浩1 (1.名城大理工)

キーワード:単層カーボンナノチューブ、遷移金属触媒、X線吸収端近傍構造

単層カーボンナノチューブ(SWNT)は優れた電気的特性を有することから、エレクトロニクス材料への応用が期待されている。SWNTの触媒には一般的にCoやNiといった遷移金属触媒が用いられるが、SWNT生成中の触媒の化学結合状態を直接測定した報告は未だ多くない。そこで本研究ではX線吸収端近傍構造(XANES)のその場測定を行うことにより、SWNT成長中のCoおよびNi触媒粒子の化学結合状態の解明を試みた。