2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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[7a-C11-1~12] 17.1 カーボンナノチューブ,他のナノカーボン材料

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1)

片浦 弘道(産総研)、山本 貴博(東理大)

09:30 〜 09:45

[7a-C11-3] Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ作製におけるAl2O3バッファ層による生成量増加のメカニズム

丸山 隆浩1、桐林 星光1、才田 隆広1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)

キーワード:カーボンナノチューブ、Al2O3、CVD

本研究では、Rh触媒を用いたSWNT成長において、作製手法の異なるAl2O3バッファ層を用いて比較することで、バッファ層の結晶性や酸化度や稠密度などが触媒活性に与える影響を調べ、生成量が増加するメカニズムについて検討を行った。