The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7a-C17-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 7, 2017 9:00 AM - 12:15 PM C17 (Training Room 2)

Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.)

11:30 AM - 11:45 AM

[7a-C17-10] Solid-phase crystallization of amorphous ZnO/V-doped ZnO/ZnO stacked film
by calcining treatment in oxygen atmosphere

Kenta Shito1, Hiroshi Chiba1,2, Tomoyuki Kawashima1, Katsuyoshi Washio1 (1.Tohoku Univ., 2.DC JSPS Research Fellow DC)

Keywords:zinc oxide, crystal growth, a face sapphire

a 面サファイア基板上に堆積した擬似アモルファスV 添加ZnO とZnO の積層膜
(pa-VZO/ZnO)の窒素雰囲気中熱処理による固相成長を報告した。本報告では、副相形成抑制
のためにpa-VZO/ZnO 積層膜上にZnO を堆積したpa-ZnO/pa-VZO/ZnO 積層膜の酸素雰囲気中で
の固相成長について検討した。