[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7a-C17-2] 時間的･空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発2

〇川原村 敏幸^1,2、ﾙﾄﾝｼﾞｬﾝ ﾋﾟﾓﾝﾊﾟﾝ¹、刘 丽¹、西 美咲¹、坂本 雅仁¹、小林 勇亮¹、E.K.C. ﾌﾟﾗﾃﾞｨｰﾌﾟ²、鄧 太江²、佐藤 翔太¹、山沖 駿友¹、中曽根 義晃¹、上田 真理子¹ (1.高知工大 シス工、2.高知工大 総研)

キーワード：ミストCVD、反応制御、多元系機能膜

前回の発表で、ミスト液滴の時間的･空間的な隔たりを利用する事により単相流体中で起こるような予測が困難な複雑な反応を無視し、多元(混晶)系機能膜の成膜速度や組成比を操作できる事を発見し、また実験を通じて本理論が正しい事を示した。この反応制御技術を備えたミストCVDをこれまでの開発状況から以降第3世代ミストCVDと記すが、本発表ではこの第3世代ミストCVDの威力について、更に詳しく調べたので報告する。