[7a-C19-1~9] 【CS.8】6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術

△ [7a-C19-4] Si系合金とSiCの交互PLD法による3C-SiC薄膜のVLS成長

〇山王堂 尚輝¹、大住 亜朱香¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：SiC、PLD

SiCはSiに比べ優れた半導体物性を有し，次世代のパワーデバイス材料として注目されている．結晶多形の１つである3C-SiCは，MOSFET等への応用が期待されているが，現在のSiC製造プロセスは2000℃を超えるため低温で安定な3C-SiC単結晶の育成は困難とされている． 一方で，PLD法で加熱した固体基板上にSiCを堆積することで3C-SiCがエピタキシャル成長することが報告されている．そこで本研究では，3C-SiC薄膜の高品質化を目的に， SiCとSi系合金フラックスの交互蒸着によるvapor-liquid-solid (VLS)法を用いて，α-Al₂O₃基板上にSiC薄膜を堆積し，VLS成長に及ぼす合金フラックスの影響を調査した．