[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[7a-C21-11] (100)配向CLC結晶成長へのスキャン速度の影響

〇佐々木 伸夫^1,2、浦岡 行治²、Muhammad Arif² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：レーザ結晶化、面方位、薄膜トランジスタ

CLCのa-Si薄膜結晶化では、ラテラル結晶が得られる閾値の上近傍パワー領域において、結晶化膜表面の99.8%以上の面方位が10度以内で（100）にそろったCLC薄膜が得られる事が見出されている。前回の応物で、この現象へのキャップ界面エネルギーの影響を報告したが、今回の応物では、レーザービームスポット短軸長の影響と、スキャン速度の影響を報告する。5 um の短軸長のビームでも低パワーでの高配向（100）現象が見られた。スキャン速度の増加では、（100）配向の得られるパワー範囲が広がったと思われる。