[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[7a-C22-3] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge_1−xSn_x薄膜の熱電特性

〇高橋 恒太^1,2、池上 浩³、坂下 満男¹、中塚 理^1,4、財満 鎭明⁴、黒澤 昌志^1,5,6 (1.名大院工、2.JSPS、3.九大院ｼｽ情ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門、4.名大未来研、5.名大高等研究院、6.JSTさきがけ)

キーワード：GeSn