高橋恒太

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発表者・著者、共著者

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:45 C22 (C22)

一般セッション(口頭講演)
| 22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」
| 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

09:30 〜 09:45

[7a-C22-3] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge₁_−xSn_x薄膜の熱電特性

〇高橋恒太^1,2、池上浩³、坂下満男¹、中塚理^1,4、財満鎭明⁴、黒澤昌志^1,5,6 (1.名大院工、2.JSPS、3.九大院ｼｽ情ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門、4.名大未来研、5.名大高等研究院、6.JSTさきがけ)