[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [7a-C22-4] SiO₂絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善

〇(D)橋本 修一郎¹、大場 俊輔¹、姫田 悠矢¹、大和 亮¹、松川 貴²、松木 武雄²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：シリコンナノワイヤ、熱電発電デバイス、ゼーベック効果

エナジー・ハーベスティング技術はIoT社会を実現するキーテクノロジーとして注目され、その中でもシリコンナノワイヤ（SiNW）がCMOSプロセスで製造可能な微小熱電発電デバイス（μTEG）材料として期待されている。これまで我々は、SOI基板上に作製したn型SiNWについて、n型Siが本来もつ負のゼーベック係数では説明できない逆向きの正のゼーベック係数が発現することを報告してきた。今回我々は、ゼーベック係数の極性反転の起源として、NW周縁のSi/SiO₂界面欠陥に起因する捕獲電荷が熱電特性におよぼす影響を調査した。