09:45 〜 10:00 △ [7a-C22-4] SiO2絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善 〇(D)橋本 修一郎1、大場 俊輔1、姫田 悠矢1、大和 亮1、松川 貴2、松木 武雄2、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.産総研)