[7a-PA6-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[7a-PA6-1] Effect of heat-treatment condition on crystallization behavior of HfO₂-ZrO₂ thin film

〇Shuhei Nakayama¹, Funakubo Hiroshi², Uchida Hiroshi¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:hafnium oxide, chemical solution deposition, ferroelectrics

非ペロブスカイト型結晶構造を有する新規強誘電体材料として蛍石型結晶構造からなるHfO₂基固溶体極薄膜の利用が近年注目される。本研究では、簡便かつ低コストな手法である化学溶液堆積法により強誘電相を含有するHfO₂-ZrO₂固溶体極薄膜の作製を目的とし、溶液法由来前駆体薄膜の形成および結晶化挙動を調査すると同時に、それらの制御による強誘電相の更なる増大を試みた。