[7a-PA6-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[7a-PA6-7] エピタキシャルBiFeO₃薄膜における電場印加下の格子歪

〇中嶋 誠二¹、藤沢 浩訓¹、坂田 修身²、舟窪 浩³、清水 莊雄³、一ノ瀬 大地³、今井 康彦⁴、清水 勝¹ (1.兵庫県立大、2.NIMS/SPring-8、3.東工大、4.JASRI)

キーワード：強誘電体薄膜、BiFeO3、電界誘起歪

膜厚1 µmの(001)配向単結晶BiFeO₃薄膜における電場印加下の格子定数を、放射光を用いたin-situ時分割X線回折により評価した。その結果、電界誘起歪により面内方向に圧縮され面外方向に延びていることが確認できた。また、この変形はエピタキシャル応力の影響により結晶の回転を伴うことを明らかにした。