[7a-PB3-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[7a-PB3-1] プラズマ酸化による酸化濃縮GOI層の薄膜化により作製した極薄ひずみGOI pMOSFETs

〇(D)金 佑彊¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：酸化濃縮、ETB GOI pMOSFET、圧縮ひずみ

Siの物理的限界を超える次世代CMOSチャンネルを候補としてGeが注目されている。そして、ショートチャンネル効果の抑制とリーク電流を下げるために10nm以下の超薄膜GOIが必要である。またGOIに圧縮ひずみを導入する事でさらなる性能向上を期待できる。様々なGOI作製法の中、我々はGOIに圧縮ひずみを適応する新しい酸化濃縮法を考案した。しかし、10nm以下のGOI pMOSFETの作製はまだ実現できてない。
この論文では、ECRプラズマ酸化で酸化濃縮法により作成された圧縮ひずみGOIを薄膜化し、厚さ4.5nmの超薄膜ひずみ GOI pMOSFETを実現に成功した事を報告する。