[7a-PB3-1~9] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[7a-PB3-4] Electric Characteristic of Junctionless FET or Intrinsic FET Embedding Gold Nanoparticles

〇Takahiko Ban¹, Shinji Migita², Ichiro Yamashita³, Yukiharu Uraoka³, Shin-ichi Yamamoto¹ (1.Ryukoku Univ., 2.AIST, 3.NAIST)

Keywords:junctionless-FET, intrinsic-FET, nanoparticle

V溝型JL-FETはSOI基板を特異的にウェットエッチングすることで得られるチャネル長3 nmのトランジスタである。我々は、このJL-FETがV溝という特殊な形状を有することから、ナノ粒子をV溝底部に選択的に配置することで種々の効果を微細チャネルに与えられることに着目した。本研究は、V溝型JL-FETおよび同構造を持つIntrinsic-FETを用い、ナノ粒子をフローティングゲートとして配置し、メモリ効果等の電荷保持による微細チャネルへの影響を調査することを目的とする。