[7a-PB3-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[7a-PB3-4] 金ナノ粒子含有Junctionless FETおよびIntrinsic FETの電気特性評価

〇番 貴彦¹、右田 真司²、山下 一郎³、浦岡 行治³、山本 伸一¹ (1.龍谷大理工、2.産総研、3.奈良先端大)

キーワード：ジャンクションレスFET、intrinsic-FET、ナノ粒子

V溝型JL-FETはSOI基板を特異的にウェットエッチングすることで得られるチャネル長3 nmのトランジスタである。我々は、このJL-FETがV溝という特殊な形状を有することから、ナノ粒子をV溝底部に選択的に配置することで種々の効果を微細チャネルに与えられることに着目した。本研究は、V溝型JL-FETおよび同構造を持つIntrinsic-FETを用い、ナノ粒子をフローティングゲートとして配置し、メモリ効果等の電荷保持による微細チャネルへの影響を調査することを目的とする。