[7a-PB3-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[7a-PB3-8] PHITSと多重有感領域を用いたFinFETデバイスのソフトエラー解析

〇安部 晋一郎¹、佐藤 達彦¹、加藤 貴志²、松山 英也² (1.原子力機構、2.ソシオネクスト)

キーワード：放射線、ソフトエラー、シングルイベント効果

放射線が半導体デバイス内に誘起した電荷が一定量以上記憶ノードに収集されたとき、電子機器は一時的な誤動作（ソフトエラー）を起こす。ソフトエラーの発生率をシミュレーションで評価する際、収集電荷量を迅速かつ精度良く計算するモデルが必要となる。本研究では、FinFETにおける電荷収集効率の電荷付与位置および付与電荷量依存性を詳細に調査し、その結果に基づいてFinFETに対する多重有感領域モデルを新たに構築した。