[7a-S21-1~7] 13.10 化合物太陽電池

[7a-S21-1] V族元素ドープCdリッチ組成CdTe単結晶中の点欠陥

〇永岡 章^1,3、竹内 麻奈人²、吉野 賢二²、Scarpulla Michael³、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工、2.宮崎大工、3.ユタ大材料工)

キーワード：化合物半導体、化合物太陽電池、単結晶

CdTeは、太陽電池に適したバンドギャップ値、大きな光吸収係数を持っており、現在変換効率22%を達成している。Cd-rich組成とV族ドーピングはライフタイムとキャリア濃度改善に必要な技術であるが基礎的な物性評価の報告が少ない現状がある。我々はこれまでCd溶媒を用いて良質なCd-rich CdTe単結晶成長に成功し、Asドーピングによりキャリア濃度10¹⁵-10¹⁷ cm^-3を達成している。本発表では、V族元素ドーピングしたCd-richサンプルを用いて電気的特性の観点から点欠陥特性と安定性について報告を行う。