[7a-S45-1~8] 3.7 レーザープロセシング

[7a-S45-2] 透過性パルスレーザ加工によリ生じた半導体結晶欠陥の解析

〇岩田 博之¹、坂 公恭¹、河口 大祐² (1.愛知工業大、2.浜松ホトニクス)

キーワード：ステルスダイシング、TEM、ボイド

透過性パルスレーザをSi試料内部に集光し，改質層を起点に試料を割断する加工方法であるステルスダイシング法は、精密加工に最適で普及が進む。しかしそのメカニズムなど不明な点が数多い。超高圧電子顕微鏡を用いて改質層の結晶構造を明らかにし、割断に至るメカニズムの解明を試みた。集光焦点にはボイド、高圧相、転位密集部が存在し、転位密集部をつなぐようにクラックが発生することが明らかになった。