2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[7a-S45-1~8] 3.7 レーザープロセシング

2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:15 S45 (第6会議室)

佐藤 正健(産総研)、和田 裕之(東工大)

10:30 〜 10:45

[7a-S45-6] ポリカーボネート上シリコーン膜表面に形成したF2レーザー誘起SiO2改質膜のクラック抑制(3)

野尻 秀智1,2、大越 昌幸1 (1.防衛大、2.レニアス)

キーワード:F2 レーザー、SiO2、改質

自動車用窓材への応用のため、ポリカーボネート上に塗布したシリコーンにF2レーザーを照射しSiO2膜を形成した。SiO2の膜厚増加に伴い発生するクラックは、メッシュマスクを用い照射エリアを細分化することにより抑制した。しかし、100℃以上の耐熱試験時にクラックが生ずることが問題となった。本発表では、SiO2膜の表面へのスチールウールによるラビング処理が、120℃ 3 hの加熱試験においてクラック抑制に効果であることを明らかにする。