[7p-A201-1~10] 転位研究の最前線 ～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[7p-A201-8] 4H-SiC結晶中転位の評価と制御

〇土田 秀一¹、鎌田 功穂¹、田沼 良平¹、Hadorn Jason Paul¹、長野 正裕¹ (1.電中研)

キーワード：炭化珪素、転位、エピタキシャル成長

SiCパワーデバイスの普及拡大に向けて大口径かつ高品質な4H-SiCバルク成長，エピ成長技術の開発が進められている中，SiC結晶中の転位の非破壊検出や挙動解析が重要となっている。本講演では，放射光 X 線トポグラフィ，フォトルミネッセンス，光第二高調波発生 (SHG)，透過電子顕微鏡を用いた4H-SiCウェーハ中の各種転位の検出，挙動解析，ならびに転位の制御，低減に関する研究成果を紹介する。