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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:15 A202 (202)

矢嶋赳彬(東大)、菅大介(京大)

15:45 〜 16:00

△ [7p-A202-10] 圧縮ストレイン下におけるSrRuO₃薄膜のホール抵抗の異常な振る舞い

〇(M1)小林顕斗¹、菅大介¹、島川祐一¹ (1.京大化研)

キーワード：酸化物ヘテロ構造、SrRuO3薄膜、異常ホール効果