[7p-A202-1~15] 6.3 Oxide electronics

[7p-A202-13] Thickness dependence of dielectric properties in epitaxially strained garnet ferrites

〇Hiroyasu Yamahara¹, Akihiro Katougi¹, Ryota Kikuchi¹, Eito Sato¹, Munetoshi Seki¹, Hitoshi Tabata¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:rare-earth iron garnet, lattice strain, strain gradient

希土類鉄ガーネット（RIG）はFe³⁺イオンが酸素イオンを介した超交換相互作用によって室温でフェリ磁性（強磁性）を示し、その結晶構造はIa3d空間群（立方晶）に属し、高い絶縁性を示す。そこで薄膜-基板間の格子不整合による傾斜格子歪みを導入することで空間反転対称性の破れを実現し、フォノンのソフト化（強誘電性の発現）によって新規マルチフェロイクス物質を実現することを目指している。これまでにエピタキシャル歪みに伴う磁気異方性制御は報告があるが、誘電率に関する系統的な報告はほとんどない。本研究ではRIG薄膜のRサイトイオンにSm³⁺、基板はGd₃Ga₅O₁₂(001)を選択し、極薄膜の格子歪み状態から膜厚増加に伴う格子緩和が誘電率に及ぼす影響を調査した。