[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 & 13.3 & 13.5 Code-sharing session

[7p-A204-1] Investigation of Crystal Structure and Electrical Properties of ZrO₂-based Epitaxial Thin Films

〇Sujin Choi¹, Takahisa Shiraisi¹, Takanori Kiguchi¹, Takao Shimizu², Hiroshi Funakubo², Toyohiko Konno¹ (1.Tohoku Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:ZrO2 thin film, epitaxial, orthorhombic structure

これまで 報告されたZrO₂薄膜における強誘電性または反強誘電性の研究は、ドーパント添加されていないZrO₂薄膜でのみ行われている。本研究ではドーパントとして広く応用されているFeに注目し、エピタキシャル成長したFe添加ZrO₂薄膜を作製し、その結晶構造および電気特性を調査した。薄膜は、固相エピタキシー法によって、(100)YSZ単結晶基板上に膜厚20 nmで堆積した。その後、窒素雰囲気中で900^oC、10分間の急速熱処理を行うことで結晶化させた。製膜した薄膜は、XRDとSTEMを用いて結晶構造を調査した。また、P-Eヒステリシスループを用いて強誘電性を調査した。