[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-3] 固相エピタキシー法による強誘電体HfO₂基薄膜の作製

〇白石 貴久¹、Choi Sujin¹、清水 荘雄²、舟窪 浩²、木口 賢紀¹、今野 豊彦¹ (1.東北大、2.東工大)

キーワード：酸化ハフニウム、強誘電体、エピタキシャル薄膜