[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

△ [7p-A204-4] スパッタリング法による{100}配向Y2O3-HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその評価

〇(M2)鈴木 大生¹、三村 和仙¹、清水 荘雄²、内田 寛³、舟窪 浩^1,2 (1.東工大物院、2.東工大元素、3.上智大理工)

キーワード：強誘電体、薄膜、エピタキシャル

HfO2基薄膜にＹやZr等を添加することで強誘電性の発現が確認され、注目されている。我々は将来の大量生産に繋がるプロセスの1つであるスパッタリング法により、(111)配向したHfO2基エピタキシャル薄膜の作製に成功し、強誘電性も確認している。今回は、より大きな強誘電性が期待できる分極軸配向膜の作製と、強誘電性の発現を目指した。