[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 & 13.3 & 13.5 Code-sharing session

△ [7p-A204-5] Temperature stability of ferroelectric Y₂O₃-HfO₂

〇(D)Takanori Mimura¹, Takao Shimizu², Takanori Kiguchi³, Akihiro Akama³, Toyohiko Konno³, Yoshio Katsuya⁴, Osami Sakata⁴, Hiroshi Funakubo^1,2 (1.Tokyo Tech. DMSE, 2.Tokyo Tech. MECS, 3.Tohoku Univ. IMR, 4.NIMS)

Keywords:Ferroelectricity, HfO2

斜方晶相HfO₂基強誘電体薄膜は、20 nm以下の膜厚でも安定して強誘電性を示すため、極薄膜強誘電体を用いたデバイスへの応用が期待されている。 デバイス応用の観点から、強誘電相の温度安定性を調査することは非常に重要である。今回、我々は、膜厚の異なるエピタキシャルY₂O₃-HfO₂強誘電体膜を用いて、高温XRD測定により、強誘電相の温度安定性を調査したので報告する。