[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

△ [7p-A204-5] Y₂O₃-HfO₂強誘電体の温度安定性

〇(D)三村 和仙¹、清水 荘雄²、木口 賢紀³、赤間 章裕³、今野 豊彦³、勝矢 良雄⁴、坂田 修身⁴、舟窪 浩^1,2 (1.東工大物院、2.東工大元素、3.東北大金研、4.NIMS)

キーワード：強誘電体、HfO2

斜方晶相HfO₂基強誘電体薄膜は、20 nm以下の膜厚でも安定して強誘電性を示すため、極薄膜強誘電体を用いたデバイスへの応用が期待されている。 デバイス応用の観点から、強誘電相の温度安定性を調査することは非常に重要である。今回、我々は、膜厚の異なるエピタキシャルY₂O₃-HfO₂強誘電体膜を用いて、高温XRD測定により、強誘電相の温度安定性を調査したので報告する。