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CS コードシェアセッション » 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:00 A204 (204)

太田裕之(産総研)、藤沢浩訓(兵庫県立大)

15:15 〜 15:30

[7p-A204-8] 二元同時スパッタ法による強誘電性Hf_xZr_1-xO₂/Siヘテロ構造の作製

〇高田賢志¹、鎌田大輝¹、金屋良輔¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：HfO2、強誘電体