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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月7日(木) 13:15 〜 18:45 A301 (メインホール)

片山竜二(阪大)、船戸充(京大)、関口寛人(豊橋技科大)

16:15 〜 16:30

[7p-A301-12] InGaN/GaN規則配列ナノコラムLEDに向けたAlN埋め込み絶縁膜の形成

〇河向渉¹、松井祐三¹、野村一郎¹、岸野克巳¹ (1.上智大理工)

キーワード：ナノコラム、MBE