[7p-A301-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[7p-A301-7] Optical properties in InGaN/AlGaN quantum wells on regularly arrayed GaN nanocolumns

〇Takao Oto¹, Tatsuya Kano¹, Jun Yoshida¹, Rin Miyagawa¹, Kazuhiro Ema^1,2, Katsumi Kishino^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotech.)

Keywords:nanocolumn, nanowire, InGaN

InGaNを活性層とした量子井戸（QW）構造において，障壁層をGaNからAlGaNに変えることによってGaN上に歪補償QWを作製でき，歪補償効果とナノ構造効果を組み合わせることで更なる発光効率の向上が期待できる．本研究では，選択成長GaNナノコラム上にInGaN/GaN QWとInGaN/AlGaN QWをそれぞれ作製して，光学特性の比較検討を行い，AlGaN障壁層の導入によってInGaN系ナノコラムの発光特性の改善に繋がる結果を得た．