[7p-A402-1~6] 8.4 プラズマエッチング

[7p-A402-5] 化合物半導体ドライエッチングにおけるエッチングレート安定化のための残留塩化水素ガス抑制の検討

〇辻 幸洋¹、服部 哲也¹、柳沢 昌輝¹、小路 元¹ (1.住友電工)

キーワード：半導体、ドライエッチング、質量分析

化合物半導体ドライエッチングは、塩素系ガスを用いたICP-RIEを使用する。近年は、高精度微細加工を可能にするドライエッチング技術が必要とされており、エッチングレートの安定化が求められる。従来のエッチングレートばらつきはバッチ間で±5%程度が一般的であった。高精度化には、ばらつきを±1%以内に抑えなければならない。今回、反応室に質量分析計をとりつけ、残留ガス成分を分析し、エッチングレート変動と比較した結果を報告する。