[7p-A411-1~17] 1.5 計測技術・計測標準

△ [7p-A411-3] KFMを用いたSiの表面温度測定におけるトラップ電荷の影響

〇(M1)岡 晃人¹、鈴木 悠平¹、川合 健斗¹、マニ ナヴァニーザン¹、立岡 浩一¹、ファイズ サレ²、池田 浩也¹ (1.静岡大、2.マラヤ大)

キーワード：KFM、フェルミエネルギー測定、Si

我々は表面電位顕微鏡 (KFM)を用いてSiの表面電位の温度依存性を測定し、表面電位から温度を評価する手法の確立を目的としている。そのために異なる不純物濃度のSiウェハに対し、温度変化させながらKFMと熱電対により測定した。結果は界面でのトラップ電荷の影響により、Siのフェルミエネルギーの温度係数が理論値より大きな値が得られた。